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Ein kompaktes, quasistationäres SOI-MOSFET-Modell für die Schaltungssimulation bei höheren Temperaturen

40,40€ inkl. MwSt.

    Autor: Wiatr, Maciej
    ISBN: 978-3-86073-796-5
    Auflage: 1
    Seiten: 236
    Einband: Paperback
    Reihe: KBMS
    Band: 7

Zum Inhalt

Einleitung Mit der ständig weiter voranschreitenden Miniaturisierung der mikroelektronischen Bauelemente und Schaltungen wächst das Problem, die geforderte Funktionalität, nämlich die hohe Signalverarbeitungsgeschwindigkeit bei geringem Leistungsverbrauch der Schaltung, mit Hilfe konventioneller Bulk–Technologie zu realisieren. Zum einen nehmen unerwünschte zwei– und dreidimensionale Effekte mit abnehmender Kanallänge zu. Zum anderen lassen sich die bisher verwendeten Layout–Schaltungsbibliotheken wegen des erheblich veränderten Bauelementverhaltens nicht einfach auf skalierte Bauelemente übertragen. Die Entwicklung neuer Schaltungskonzepte ist erforderlich. Damit wachsen die Anforderungen an die beim Entwurf zum Einsatz kommenden Simulationsmodelle weiter an. Die analytische Beschreibung der Bauelemente mittels geschlossener expliziter Gleichungen soll neben der Genauigkeit eine Rechenzeiteffizienz aufweisen, die die Anwendung in Schaltungen mit hoher Bauelementenanzahl erlaubt. Trotz vereinfachter mathematischer Formulierungen ist es wünschenswert, den Zusammenhang der Modellgleichungen mit den physikalischen Gegebenheiten aufrecht zu erhalten, um eine breite Anwendbarkeit bei Technologieänderungen zu gewährleisten. Dieser Aspekt gewinnt mit abnehmender Betriebsspannung und Geometrie zunehmend an Bedeutung, da bereits kleine Technologieabweichungen zu wesentlichen Änderungen im Bauelementverhalten führen. Um den Einfluß der Technologieabweichungen simulieren zu können, ist der Zusammenhang zwischen Modellparameter bzw. Modellgleichungen und der Technologie von Vorteil. Durch Einsatz der SOI–Technologie an Stelle der Bulk–Technologie lassen sich bessere physikalische Eigenschaften der Bauelemente bei vergleichbarer Prozeßkomplexität und Integrationsdichte erzielen. Zudem führt das kleinere Volumen der SOI–Transistoren zu einer erhöhten Temperaturstabilität, wodurch Anwendungen im erweiterten Temperaturbereich bis über 300◦C realisiert werden können...

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